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Notícias
Mais rápido que o silício para o grafeno

5/2/2010

Agência FAPESP – O futuro está chegando. Pelo menos para o grafeno, que está cada vez mais próximo dos computadores, nos quais poderá ocupar o lugar do hoje onipresente – mas cada vez mais próximo do limite tecnológico – silício.

Desde que essa nova forma de carbono foi isolada, em 2004, pelo grupo de Andre Geim, na Universidade de Manchester, diversos centros de pesquisa espalhados pelo mundo têm estudado as propriedades e aplicações dessa nova forma de carbono.

Em artigo publicado na edição desta sexta-feira (5/2) da revista Science, um grupo do Centro de Pesquisa Watson da IBM, nos Estados Unidos, descreve a produção de transistores de efeito de campo formados por uma camada de grafeno sobre uma lâmina de silício.

O mais notável, segundo o estudo, é que o dispositivo atingiu a frequência de 100 gigahertz por uma distância de 240 nanômetros. A performance de alta frequência desse transistor de grafeno em tal distância supera os melhores de silício até hoje construídos. Ler Mais >>


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